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SFH 221 S
Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode
SFH 221 S
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Hohe Fotoempfindlichkeit q Hermetisch dichte Metallbauform (ahnlich TO-5), geeignet bis 125 oC1) q Doppeldiode von extrem hoher Gleichmaigkeit Anwendungen
q q q q
Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q High photosensitivity q Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), suitable up to 125 oC1) q Double diode with extremely high homogeneousness Applications q Follow-up controls q Edge drives q Industrial electronics q For control and drive circuits
Nachlaufsteuerungen Kantenfuhrung Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln"
Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code SFH 221 S (*SFH 221)
1) 1)
Gehause Package Lotspiee im 5.08-mm-Raster (2/10") solder tabs 5.08 mm (2/10") lead spacing
Q62702-P270
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us.
Semiconductor Group
399
SFH 221 S
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung Reverse voltage Isolationsspannung gegen Gehause Insulation voltage vs. package Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -40 ... +80 230 Einheit Unit
oC oC
VR VIS Ptot
10 100 50
V V mW
Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Symbol Symbol S S max Wert Value 24 ( 15) 900 400 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm
A LxB LxW H
1.54 0.7 x 2.2
mm2 mm
1.1 ... 1.6
mm
55
Grad deg.
Semiconductor Group
400
SFH 221 S
Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) fur jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Isolationsstrom, VIS = 100 V Insulation current Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 k; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 25 A Durchlaspannung, IF = 40 mA, E = 0 Forward voltage Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient fur VL Temperature coefficient of VL Temperaturkoeffizient fur IK Temperature coefficient of IK Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit Symbol Symbol IR S S Wert Value 10 ( 100) 0.55 5 Einheit Unit nA A/W %
VL IK IIS tr, tf
0.80 330 ( 280) 24 0.1 ( 1) 500
Electrons Photon mV A nA ns
VF C0 TCV TCI NEP
1.0 25 -2.6 0.18 1.0 x 10-13
V pF mV/K %/K W Hz cm * Hz W
D*
1.2 x 1012
Semiconductor Group
401
SFH 221 S
Relative spectral sensitivity Srel = f ()
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev)
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Dark current IR = f (VR), E = 0
Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0
Directional characteristics Srel = f ()
Semiconductor Group
402

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